展演现场，团队通过自主研发的智能无人车与原型芯片器件，实景验证了三碲化铬相变材料在电磁干扰、150℃高温以及–190℃液氮低温环境下的优异稳定性，生动诠释了“从底层材料创新，突破高端芯片性能瓶颈”的核心科研理念。相关成果以研究论文“无电阻漂移的非晶相变存储材料Amorphous phase-change memory alloy with no resistance drift”发表于《自然材料》。近期，相应科普短文“零漂移相变材料与高精度存内计算”发表于《科学通报》。本次展演活动推动了前沿科研成果与科学普及的双向赋能、同步输出。
